SiC ڈیوائس پیکیجنگ ٹیکنالوجی کی ترقی بہت پیچھے ہے۔
ایک پیغام چھوڑیں۔
SiC ڈیوائس پیکیجنگ ٹیکنالوجی کی ترقی بہت پیچھے ہے۔
اس وقت، دنیا بھر میں بہت سے مین اسٹریم پاور ڈیوائس سپلائرز نے SiC چپس پر تحقیق اور ترقی کی ہے، لیکن اس کے مقابلے میں، SiC ڈیوائسز کے لیے پیکیجنگ ٹیکنالوجی کی ترقی بہت پیچھے ہے۔ Si چپس کے مقابلے میں، SiC چپس میں درجہ حرارت کی مزاحمت زیادہ ہوتی ہے، اور ان کا آپریٹنگ درجہ حرارت 200 ڈگری سے بھی تجاوز کر سکتا ہے۔ تاہم، فی الحال SiC ماڈیولز میں استعمال ہونے والی سگ ماہی ٹیکنالوجی اب بھی Si ماڈیولز کے ڈیزائن کی پیروی کرتی ہے، اور ان کی وشوسنییتا اور عمر 200 ڈگری کی کام کی ضروریات کو پورا نہیں کر سکتی۔ SiC چپس کے اطلاق کی شرائط محدود ہیں۔
ڈرائیو پروٹیکشن ٹیکنالوجی
Si چپس کے مقابلے میں، SiC چپس کی شارٹ سرکٹ رواداری بہت کم ہو گئی ہے۔ لہذا، آپریشن کے دوران SiC ڈیوائسز کے شارٹ سرکٹ کی ناکامی کو روکنے کے لیے، ڈرائیونگ سرکٹ کے لیے کم رسپانس ٹائم ہونا ضروری ہے، جو SiC ڈیوائس ڈرائیونگ سرکٹس کی حفاظتی ٹیکنالوجی کے لیے ایک بہت بڑا چیلنج ہے۔
تھرمل ڈیزائن
ایک ہی SiC چپ کے چھوٹے رقبے کی وجہ سے، زیادہ چپس کو متوازی طور پر استعمال کرنے کی ضرورت ہے تاکہ زیادہ طاقت کی پیداوار حاصل کی جا سکے۔ ہر چپ کے درمیان تھرمل توازن کو یقینی بنانے کے لیے ماڈیول کے اندر چپس کے لیے ایک معقول ترتیب کو کیسے ڈیزائن کیا جائے، اور چپس کے گرم جگہ کے درجہ حرارت کی نگرانی کرنا ایک بہت بڑا چیلنج ہے۔
تیز رفتار سوئچنگ کی وجہ سے EMI اور موصلیت کے مسائل
Si آلات کے مقابلے میں، SiC آلات کی سوئچنگ کی رفتار کو نمایاں طور پر بہتر کیا جا سکتا ہے، اور سوئچنگ کے عمل کے دوران di/dt اور dv/dt دونوں کو بڑھایا جا سکتا ہے۔ اگرچہ اس سے ڈیوائس کے سوئچنگ نقصان کو کم کرنے میں مدد ملتی ہے، دوسری طرف، یہ EMI کے سنگین مسائل کا سبب بن سکتا ہے۔ EMI کو دبانے کے لیے کنٹرول سرکٹ اور فلٹرنگ سرکٹ کو مناسب طریقے سے ڈیزائن کرنے کا طریقہ بھی ایک اہم مسئلہ ہے۔ ایک ہی وقت میں، ہائی dv/dt کا موٹر وائنڈنگز کی موصلیت پر منفی اثر پڑتا ہے، جو موصلیت کے اجزاء کی عمر کو تیز کر سکتا ہے جیسے انامیلڈ تاروں اور موصلیت کے حلقے، اس طرح موٹروں کے موصلیت کے ڈیزائن کے لیے نئے چیلنجز کا سامنا کرنا پڑتا ہے۔
Www.superbheater.com
