الیکٹروپلاٹنگ الیکٹرک ہیٹنگ ٹیوب آرک ڈسچارج

الیکٹروپلاٹنگ الیکٹرک ہیٹنگ ٹیوب آرک ڈسچارج

سات رنگوں کی ویکیوم الیکٹروپلاٹنگ عام طور پر خام مال کو پلیٹ ٹارگٹ میں اسٹیک کرنے کے لیے استعمال کرتی ہے، جو کہ منفی الیکٹروڈ پر طے ہوتا ہے۔ سبسٹریٹ کو ہدف سے 3 سینٹی میٹر دور ہدف کی سطح کا سامنا کرنے والی اینوڈائزڈ سطح پر رکھا جاتا ہے۔ سسٹم سافٹ ویئر ویکیوم پمپ کھینچنے کے بعد، یہ 10-1 Pa بخارات (عام طور پر آرگن) سے بھرتا ہے، اور منفی الیکٹروڈ اور اینوڈائزیشن کے درمیان کئی ہزار وولٹ ورکنگ وولٹیج لگاتا ہے، جو دونوں اطراف کے درمیان آرک ڈسچارج کا سبب بنے گا۔ چارج اور ڈسچارج کی وجہ سے مثبت آئن الیکٹرو سٹیٹک فیلڈ کے اثر کے تحت منفی الیکٹروڈ کی طرف چلتے ہیں، اور ہدف کی سطح پر موجود مالیکیولز سے ٹکرا جاتے ہیں۔ ہدف کی سطح سے نکلنے والے ٹارگٹ مالیکیولز کو میگنیٹران سپٹرنگ مالیکیول کہتے ہیں، اور ان کی حرکی توانائی 1 سے دسیوں الیکٹران وولٹ کی حد میں ہوتی ہے۔ . میگنیٹران سپٹرنگ مالیکیولز کو سبسٹریٹ کی سطح پر رنگین ویکیوم چڑھانے کے عمل میں اسٹیک کیا جاتا ہے۔

الیکٹروپلاٹنگ الیکٹرک ہیٹنگ ٹیوب ہائی انرجی پارٹیکل منفی الیکٹران ٹھوس سطح کی تہہ

ہائی انرجی پارٹیکل منفی الیکٹران ٹھوس سطح کی تہہ کا استعمال کرتے وقت، ٹھوس سطح کی تہہ میں موجود ذرات کو حرکی توانائی حاصل کرنی چاہیے اور سطح کی تہہ سے بچ کر سبسٹریٹ پر جمع ہونا چاہیے۔ میگنیٹران سپٹرنگ کی حالت پہلی بار 1870 میں سطح کوٹنگ ٹیکنالوجی کے لیے استعمال کی گئی تھی، اور 1930 کے بعد، جمع ہونے کی شرح میں اضافے کی وجہ سے اسے آہستہ آہستہ صنعتی پیداوار میں استعمال کیا گیا۔

الیکٹروپلاٹنگ الیکٹرک ہیٹنگ ٹیوب رنگین ویکیوم الیکٹروپلاٹنگ ٹونٹی فرنس مالیکیولر اسٹرکچر بیم سورس سے لیس ہے

سات رنگوں کی ویکیوم الیکٹروپلاٹنگ سپوٹنگ فرنس مالیکیولر سٹرکچر بیم سورس سے لیس ہے۔ جب اسے بہت زیادہ ویکیوم پمپ کے نیچے ایک خاص درجہ حرارت پر گرم کیا جاتا ہے، تو بھٹی میں موجود عناصر شہتیر کی طرح مالیکیولر ڈھانچے میں سبسٹریٹ کی طرف بہتے ہیں۔ سبسٹریٹ کو ایک خاص درجہ حرارت پر گرم کیا جاتا ہے، اور سبسٹریٹ پر جمع مالیکیولر ڈھانچہ ہجرت کر سکتا ہے، اور کرسٹل سبسٹریٹ کے جالی مستقل کی ترتیب میں بڑھتا اور ترقی کرتا ہے۔ مالیکیولر ڈھانچہ بیم ایپیٹیکسی طریقہ مطلوبہ نامیاتی اسٹوچیومیٹرک تصدیقی تناسب کی اعلی پاکیزگی حاصل کرسکتا ہے۔ کیمیکل سنگل کرسٹل فلم، پلاسٹک فلم کی ترقی کی شرح نسبتاً سست ہے اور ترقی کی شرح کو 1 یکطرفہ سیکنڈ میں جوڑ دیا جا سکتا ہے۔ سپیسر کو جوڑ کر، مطلوبہ ساخت اور ساخت کی ایک واحد کرسٹل پلاسٹک فلم بالکل ٹھیک بنائی جا سکتی ہے۔ مالیکیولر سٹرکچر بیم ایپیٹیکسی کو الیکٹروپلاٹنگ مینوفیکچررز کی طرف سے وسیع پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے تاکہ مختلف آپٹیکلی انٹیگریٹڈ پرزوں اور مختلف سپر لیٹیس مستقل ساختی پلاسٹک فلمیں تیار کی جا سکیں۔

www.superbheater.com